論文発表

“JSTと東大と慶大、毎秒ギガビットを超える非接触メモリカードを開発”, 日本経済新聞, 2010年6月28日.

“SSDの書き込み速度を4.2Gビット/秒へ高める電源技術”，東大などが開発”, 日経エレクトロニクス, 2010年6月19日.

“東大、集積回路の0.5V動作に向けた低コストSRAM技術を開発”, マイコミジャーナル, 2010年6月21日.

“東大が新技術 集積回路、0.5ボルトで動作 消費電力10分の1に”, 日刊工業新聞, 2010年6月21日.

“東大、集積回路の0.5V動作に向けた低コストSRAM技術を開発”, 日本経済新聞, 2010年6月21日.

“SRAMの製造バラつき耐性をテスト工程で高める手法、東大とSTARCが開発”, 日本経済新聞, 2010年6月5日.

“SRAMのばらつきを「見える化」する観測技術が続出，しきい値電圧を製造後に適正化する技術も”, 日経エレクトロニクス, 2010年6月17日.

“SRAMの製造バラつき耐性をテスト工程で高める手法，東大とSTARCが開発”, 日経エレクトロニクス, 2010年6月17日.

“誤り訂正強度を状況に合わせる手法提案”, EE Times Japan, 2010年6月17日.

“強誘電体NANDの電源を大幅に下げる、次世代SSDの可能性を開く新技術”, EE Times Japan, 2010年6月9日.

“NANDの信頼性を10倍以上に高める誤り訂正技術，東大らが開発”, 日経エレクトロニクス, 2010年5月19日.

“10Gバイト/秒で書き込めるSSDに道，東大らが1V駆動のNANDを開発”, 日経エレクトロニクス, 2010年5月19日.

“6月にハワイで開催するLSI回路技術の国際会議「VLSI Circuitsシンポ」の注目論文，13件を一挙紹介”, 日経エレクトロニクス, 2010年5月10日.

“微細化の限界に挑む、Si材料と新材料の融合で新たな展望も”, EE Times Japan, 2010年3月2日.

“ISSCC2010, DRAMとNANDフラッシュ分野，一見「地味」でも実用的な重要技術が数多く登場”, 日経エレクトロニクス, 2010年2月12日.

“東芝から東京大学に転じた半導体技術者の活躍ぶり”, 日経エレクトロニクス, 2010年1月12日.

“IEDM 2009：量産始まる32nm SoC技術、0.5V動作SRAMなどに注目”, 日経エレクトロニクス, 2010年1月8日.

“強誘電体SRAMやスピンMOS FETが開発、新材料や新機構で微細化限界打ち破る”, EE Times Japan, 2009年12月18日.

“0.5Vで動作するSRAM，東京大学らが強誘電体FETで実現”, 日経エレクトロニクス, 2009年12月8日.

“SSDの国家プロジェクトがスタート，10Gビット/秒の超高速無線通信技術を採用”, 日経エレクトロニクス, 2009年10月16日.