論文発表

“Tokyo University uses Docea’s Aceplorer for NVM design”, EE Times, 2011年1月18日.

“外向き志向 メモリー研究 世界一へ”, 朝日新聞, 2011年1月5日.

“まだまだ続く半導体技術革新”, 日経エレクトロニクス, 2010年11月24日.

“SSDの消費電力を97％減，ReRAMをキャッシュに利用 エルピーダメモリと東大などの新メモリ開発が始動”, 日経エレクトロニクス, 2010年10月15日.

“エルピーダとシャープ、次世代メモリ共同開発”, ITmedia, 2010年10月13日.

“Elpida, Sharp to co-develop next-gen memory chip”, Reuters, 2010年10月13日.

“エルピーダなど次世代メモリー開発”, 産経新聞, 2010年10月13日.

“エルピーダ、シャープや東大らと次世代メモリー開発”, 産経新聞, 2010年10月13日.

“エルピーダやシャープなどのReRAM、DRAMとフラッシュの性能差を埋める”, 日本経済新聞, 2010年10月13日.

“エルピーダとシャープ、次世代メモリー共同開発 13年めど実用化 省電力、処理速く”, 日本経済新聞, 2010年10月13日.

“ReRAMバッファを備えるSSD向けのECC技術，東京大学が開発”, 日経エレクトロニクス, 2010年9月27日.

“東大最前線　フラッシュメモリー　竹内健准教授（工学系研究科）”, 東京大学新聞, 2010年8月3日.

“メモリー、消費電力抑え高速化、エルピーダなど開発着手”, 日本経済新聞, 2010年7月.

“日の丸半導体　省エネ勝負　消費電力10分の1　NEDO開発へ”, 産経新聞, 2010年7月21日.

“省エネ携帯開発へ　消費電力を10分の1に　NEDO”, 産経新聞, 2010年7月22日.

“NEDO、新型メモリー開発プロ始動－消費電力10分の1に”, 日刊工業新聞, 2010年7月20日.

“FPGAやメモリ，さらにSSD，3次元化に沸くLSI開発VLSI Symposia詳報”, 日経エレクトロニクス, 2010年7月26日.

“機器の省エネを加速する，0.5V駆動のLSIに道　コストを増やさずSRAMの動作安定性を高める”, 日経エレクトロニクス, 2010年7月26日.

“東大と慶大、毎秒6ギガビットでデータ伝送する非接触メモリーカード開発”, 朝日新聞, 2010年6月28日.

“非接触メモリーカード 毎秒６ギガビットでデータ伝送 東大と慶大など開発”, 日刊工業新聞, 2010年6月21日.