論文発表

“「ばたつく相手でも大丈夫です」、高速負荷応答の非接触充電技術が開発”, EE Times Japan, 2011年11月21日.

“産総研、64kビット強誘電体NAND型フラッシュメモリアレイを作製”, マイコミジャーナル, 2011年9月29日.

“産総研、東大と共同で強誘電体NANDフラッシュメモリーの64キロビットメモリーアレイを開発”, 日本経済新聞, 2011年9月28日.

“東大の竹内研、50nm級の先端ReRAMのセル信頼性を50倍に向上”, 日経エレクトロニクス, 2011年9月28日.

“「NANDは8nm世代まで微細化できる」、SOI基板を用いる延命手法を東大が提案”, 日経エレクトロニクス, 2011年9月28日.

“標準CMOSプロセスだけで不揮発性メモリを実現する技術、東京大学 竹内研が開発”, 日経エレクトロニクス, 2011年9月28日.

“3次元SSDの書き込み性能を4倍に、東大の竹内研が新電圧生成システム開発”, 日経エレクトロニクス, 2011年6月18日.

“ISSCC NANDの32G～64Gビット品が量産レベルに，新メモリの発表も相次ぐ”, 日経エレクトロニクス, 2011年2月24日.

“エラーを大幅削減 世界最速のSSDメモリー”, 日本情報産業新聞 朝刊2面, 2011年2月28日.

“非接触型SSDメモリー新技術 エラーを95%削減 43%低電力化”, 電波新聞 朝刊4面, 2011年2月28日.

“記憶装置SSD　エラーを95％減少　東大慶大　12ギガビットで消費電力半減”, 日刊工業新聞 朝刊23面, 2011年2月22日.

“高速データ通信　非接触機器、毎秒12ギガで　メモリーカード応用”, 日経産業新聞 朝刊10面, 2011年2月22日.

“ISSCC SSDの動作信頼性を95％高め，書き込み電力を43％削減するデータ変調技術，東京大学などが開発”, 日経エレクトロニクス, 2011年3月8日.

“ISSCC 2011 – 東大ら、SSDの高信頼化と非接触高速インタフェース技術を開発”, マイコミジャーナル, 2011年2月21日.

“飛躍的にエラーを削減するSSDメモリを開発”, 日本経済新聞, 2011年2月9日.

“半導体研究 医療向け加速”, 日本経済新聞, 2011年2月19日.

“NANDフラッシュ・メモリの将来は？”, 日経エレクトロニクス, 2011年2月4日.

“半導体ストレージ 迫る主役交代”, 日経エレクトロニクス, 2011年2月7日.

“ISSCC2011プレビュー NANDは20nm世代で64Gビットに到達 超高速ReRAMや高信頼のSSDにも注目”, 日経エレクトロニクス, 2011年1月10日.

“東京大学，ReRAMの研究開発向けにDOCEAのESL消費電力/熱解析ツールを導入”, 日経エレクトロニクス, 2011年1月12日.