論文発表

竹内健, “フラッシュメモリと抵抗変化型メモリの技術動向”, 新化学技術推進協会　(JACI) 電子情報技術部会講演会, 2011年7月21日.【招待講演】

上口光, 田中丸周平, 洪慶麟, 竹内健, “95%-lower-BER 43%-lower-power intelligent Solid-State Drive (SSD) with Asymmetric Coding and Stripe Pattern Elimination Algorithm”, ISSCC2011 報告会, 2011年5月23日. 【招待講演】

竹内健, “不揮発性メモリを使いこなす～SSDからストレージ・クラス・メモリまで～”, 日経エレクトロニクス セミナー, 2011年4月25日.【招待講演】

竹内健, “高信頼・低電力SSD　～ メモリコントローラによるデータ変調信号処理技術による高信頼化と低電力化 ～”, 集積回路研究会, 2011年4月19日. 【招待講演】

竹内健, “SSDの信頼性と高信頼性化技術”, 超長期保管メモリ時限研究専門委員会, 2011年3月30日. 【招待講演】

竹内健, “集積化MEMSとVLSI”, 応物物理学会, 2011年3月25日. 【招待講演】

竹内健, “3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ（SSD）”, 集積回路研究会, 2011年1月20日. 【招待講演】

竹内健, “強誘電体FETを用いた低電力NANDフラッシュメモリ・SRAM技術”, 「ゲートスタック研究会 材料・プロセス・評価の物理」（第16回研究会）2011年1月22日. 【招待講演】

竹内健, “SSDの技術動向と拡大するSSD市場－SSDがもたらすメモリシステムイノベーション”, 外国系半導体商社協会(DAFS) 市場･業界及び技術動向セミナー, 2010年11月30日. 【招待講演】

竹内健, “SSDの使いこなし方”, 日経エレクトロニクス セミナー, 2010年9月29日.【招待講演】

竹内健, 宮地幸祐, 田中丸周平, 本田健太郎, 宮野信治, “極低電圧動作チャージトラップSRAM・強誘電体SRAM技術”, 応用物理学会 シンポジウム：ナノエレクトロニクス時代に向けたSRAM研究開発の最前線, 2010年9月15日.【招待講演】

竹内健, “デジタルLSI の技術動向 – メモリ技術”, 電子情報通信学会 集積回路研究会 サマースクール, 2010年8月3日. 【招待講演】

竹内健, “グリーンITを目指した極低電力NANDフラッシュメモリ・SRAM”, 電気化学会 第74回半導体・集積回路技術シンポジウム, 2010年7月9日.【招待講演】

竹内健, “ナノスケールメモリLSI：材料・デバイス・回路・システムを総動員し微細化を極限まで延命する”, VDECデザイナーフォーラム, 2010年6月5日.【招待講演】

竹内健, “フラッシュメモリ/SSDの技術動向”, Electronic Journal 第491回 Technical Seminar, フラッシュメモリ/SSD技術・市場・業界動向, 2010年4月28日.【招待講演】

畑中輝義, 矢島亮児, 堀内健史, Shouyu Wang, Xizhen Zhang, 高橋光恵, 酒井滋樹, 竹内健, “データセンター用SSD向けFerroelectric(Fe)-NANDフラッシュメモリと不揮発性ページバッファ”, 電子情報通信学会 集積回路研究会, 信学技報, vol. 110, no. 9, ICD2010-11, pp. 59-64, 2010年4月22日.【招待講演】

竹内健, “低電力SSD/強誘電体メモリ技術”, 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会　Siナノテクロノジー研究委員会「シリコンプラットフォームテクノロジ」, 2010年3月24日.【招待講演】

竹内健, “新材料・デバイス・回路・システムを総動員してLSIの微細化限界に挑む”, 広島大学エレクトロニクスセミナ, 2010年3月.【招待講演】

竹内健, “データセンター向け高信頼・低電力強誘電体NANDフラッシュメモリ技術”, 技術情報協会, 2010年2月24日.【招待講演】

竹内健, “システム化するNANDフラッシュメモリ”, 産業技術総合研究所　エレクトロニクスフォーラム, 2009年12月15日.【招待講演】