論文発表

国内学会
  • 猪瀬貴史, Tomoko Ogura iwasaki, Sheyang Ning, Darlene Viviani, Monte Manning, X. M. Henry Huang, Thomas Rueckes, 竹内健, “カーボンナノチューブを用いた不揮発性メモリにおける書き換え電圧を変化させたときの耐久性評価”, 応用物理学関係連合講演会, 15p-P15-13, 2017年3月15日.

  • 出口慶明, 小林 惇朗, 竹内健, “1Xnm TLC NAND型フラッシュメモリにおける書き換えストレス緩和技術”, 応用物理学関係連合講演会, 15p-P15-7, 2017年3月15日.

  • 出口慶明, 竹内健, “1Xnm TLC NAND型フラッシュメモリにおける読み出しディスターブエラー向け誤り訂正符号”, 応用物理学関係連合講演会, 15p-P15-8, 2017年3月15日.

  • 佐藤優一, 出口慶明, 小林惇朗, 竹内健, “TLC NAND型フラッシュメモリにおけるデータ保持エラーの低減”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 116, no. 364, ICD2016-76, pp. 75, 2016年12月15日.

  • 中村俊貴, 出口慶明, 竹内健, “TLC NAND型フラッシュメモリのデータ保持特性を利用した高信頼化手法”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 116, no. 364, ICD2016-73, pp. 65, 2016年12月15日.

  • 溝口恭史, 高橋知紀, 有留誠一, 竹内健, “長期保存向けNAND型フラッシュメモリのエラー傾向の解析”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 116, no. 364, ICD2016-72, pp. 63, 2016年12月15日.

  • 鈴木敦也, 杉山佑輔, 竹内健, “SCMを用いたハイブリッドSSDの性能評価”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 116, no. 364, ICD2016-71, pp. 61, 2016年12月15日.

  • 福山将平, 前田一輝, 竹内健, “ReRAMの書き換え耐久性におけるエラー傾向の解析”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 116, no. 364, ICD2016-70, pp. 59, 2016年12月15日.

  • 榊佑季哉, 山賀祐典, 竹内健, “NAND型フラッシュメモリの世代間におけるエラーパターンの解析”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 116, no. 364, ICD2016-69, pp. 57, 2016年12月15日.

  • 安達優, 瀧下博文, 竹内健, “ストレージ・クラス・メモリで構成したSSDの信頼性を考慮した性能の評価”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 116, no. 364, ICD2016-68, pp. 55, 2016年12月15日.

  • 鈴木健太, 田中誠大, 鶴見洸太, 竹内健, “ReRAMの書き換え電圧昇圧回路の高速化”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 116, no. 364, ICD2016-67, pp. 53, 2016年12月15日.

  • 渡邉光, 小林惇朗, 竹内健, “NAND型フラッシュメモリに生じる読み出しディスターブエラーの解析”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 116, no. 364, ICD2016-66, pp. 51, 2016年12月15日.

  • 早川敦奈, 前田一輝, 竹内健, “抵抗変化型メモリ(ReRAM)の書き込み条件の最適化”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 116, no. 364, ICD2016-65, pp. 49, 2016年12月15日.

  • 山賀祐典, 松井千尋, 竹内健, “SSDの性能と信頼性を考慮したデータアクセスパターンに適したECCシステム,” 第28回コンピュータシステム・シンポジウム (ComSys2016), 2016年11月28日.

  • 杉山佑輔, 山田知明, 松井千尋, 竹内健, “TSVを用いた3次元実装ハイブリッドSSDのアプリケーション依存性,” 第28回コンピュータシステム・シンポジウム (ComSys2016), 2016年11月28日.

  • 鶴見洸太,田中誠大,石井智也, 竹内健, “IoTデバイス向けReRAM書き込み電圧生成回路の低電圧化およびコンパレータ回路のバイアス電流最適化手法”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 116, no. 334, ICD2016-50, pp. 69-74, 2016年11月30日.

  • 松井千尋, 山賀祐典, 杉山佑輔, 竹内健, “半導体ストレージシステムにおけるSCM, MLC/TLC NANDフラッシュメモリの最適な構成の設計”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 116, no. 334, ICD2016-38, pp. 7-10, 2016年11月29日.

  • 松井千尋, 孫超, 竹内健, “LBA scramblerを用いたNANDフラッシュSSDの高速化”, LSIとシステムのワークショップ2016, ポスターセッション, 2016年5月.

  • Tomoko Ogura Iwasaki, Sheyang Ning, Hiroki Yamazawa, Chao Sun, Shuhei Tanakamaru, Ken Takeuchi, “ReRAM reliability characterization and improvement by machine learning”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 116, no. 3, ICD2016-4, pp. 39-44, 2016年4月14日.

  • 田中誠大, 石井智也, 蜂谷尚悟, 寧渉洋, 竹内健, “IoT向け端末に組み込まれるコンパレータ回路のバイアス電流を最適化した0.6V動作ReRAM書き込み電圧生成回路”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 116, no. 3, ICD2016-4, pp. 27-32, 2016年4月14日.

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