論文発表

国内学会
  • 松井千尋,竹内健, “SCM/NANDフラッシュハイブリッドストレージにおけるアプリケーション特性に応じたSCM容量の自律最適化手法”, 集積回路研究会, 信学技報, vol.118, no. 337, ICD2018-55, pp. 29-30, 2018年12月7日.

  • 中村俊貴, 竹内健, “チャージトラップ及び浮遊ゲート型3D-NAND型フラッシュメモリにおける機械学習を用いた誤り訂正符号の訂正能力向上手法”, LSIとシステムのワークショップ2018, ポスターセッション, 2018年5月.

  • 渡邉光, 竹内健, “多元ハフマン符号を用いた階層型ストレージのSSDキャッシュ向けデータ圧縮/高信頼化手法の提案”, LSIとシステムのワークショップ2018, ポスターセッション, 2018年5月.

  • 溝口 恭史, 小滝 翔平, 竹内健, “3D-NAND型フラッシュメモリにおける積層方向への電荷移動抑制による高信頼化技術”, LSIとシステムのワークショップ2018, ポスターセッション, 2018年5月.

  • 松井千尋,竹内健, “ヘテロジニアスストレージにおけるアプリケーションに応じた不揮発性メモリ構成の最適化”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 118, no. 10, ICD2018-2, pp. 7-10, 2018年4月19日.

  • 鈴木峻, 出口慶明, 中村俊貴, 溝口恭史,竹内健, “3D-TLC NAND型フラッシュメモリにおける水平エラー検出と垂直LDPC符号を用いた高信頼化手法”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 118, no. 10, ICD2018-1, pp. 1-6, 2018年4月19日.

  • 久保山雄太, 猪瀬貴史, 福山将平, 前田一輝, 竹内健, “抵抗変化型メモリの高信頼化に向けたメモリセルの解析”, 電子情報通信学会総合大会 学生ポスターセッション, 2018年3月.

  • 鈴木峻, 出口慶明, 中村俊貴, 溝口恭史, 竹内健, “3D-TLC NAND型フラッシュメモリにおけるページ間ばらつきを考慮したLDPC符号とエラー検出技術を用いた高信頼化手法”, 電子情報通信学会総合大会 学生ポスターセッション, 2018年3月.

  • 中西優, 安達優, 松井千尋, 杉山佑輔, 竹内健, “ストレージ・クラス・メモリで構成したSSDの寿命を考慮した性能評価”, 電子情報通信学会総合大会 学生ポスターセッション, 2018年3月.

  • 能美奨, 鈴木健太, 鶴見洸太, 竹内健, “クロスバー型ReRAM向け書き込み電圧生成回路”, 電子情報通信学会総合大会 学生ポスターセッション, 2018年3月.

  • 坂東昭太郎, 鶴見洸太, 鈴木健太, 竹内健, “文字認識向けニューロモルフィック集積回路”, 電子情報通信学会総合大会 学生ポスターセッション, 2018年3月.

  • 福地守, 松井千尋, 榊佑季哉, 竹内健, “3次元構造チャージトラップ型メモリで構成されるハイブリッドSSDの特性解析”, 電子情報通信学会総合大会 学生ポスターセッション, 2018年3月.

  • 木下怜佳, 松井千尋, 杉山佑輔, 安達優, 竹内健, “2階層のストレージ・クラス・メモリシステムの性能評価”, 電子情報通信学会総合大会 学生ポスターセッション, 2018年3月.

  • 水品圭汰, 中村俊貴, 出口慶明, 竹内健, “TLC NAND型フラッシュメモリにおける画像認識向け高信頼化手法”, 電子情報通信学会総合大会 学生ポスターセッション, 2018年3月.

  • 中村俊貴, 出口慶明, 竹内健, “TLC NAND型フラッシュメモリにおけるLDPC符号の訂正能力向上に向けたバーストエラー削減手法”, 応用物理学関係連合講演会, 18p-G203-15, 2018年3月18日.

  • 渡邉光, 出口慶明, 竹内健, “階層型ストレージのSSDキャッシュ向け多元ハフマン符号を用いた非対称エラー削減手法”, 応用物理学関係連合講演会, 17p-P8-24, 2018年3月17日.

  • 山賀祐典, 松井千尋, 榊佑季哉, 竹内健, “リアルワークロードを用いたNAND型フラッシュメモリの信頼性評価”, 応用物理学関係連合講演会, 17p-P8-23, 2018年3月17日.

  • 榊佑季哉, 松井千尋, 山賀祐典, 竹内健, “3D-TLC NAND型フラッシュを用いたハイブリッドSSDの性能評価”, 応用物理学関係連合講演会, 17p-P8-18, 2018年3月17日.

  • 安達優, 竹内健, “書き込みベリファイ回数とECC強度を考慮したReRAMの性能評価”, 応用物理学関係連合講演会, 18p-G203-14, 2018年3月18日.

  • 早川敦奈, 前田一輝, 竹内健, “TaOx-ReRAMにおける書き換え耐久性とプログラム時間のトレードオフ”, 応用物理学関係連合講演会, 17p-P8-5, 2018年3月17日.

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