論文発表
竹内健, “グリーンITを目指した極低電力NANDフラッシュメモリ・SRAM”, 電気化学会 第74回半導体・集積回路技術シンポジウム, 2010年7月9日. (招待講演)
宮地幸祐, 田中丸周平, 本田健太郎, 宮野信治, 竹内健, “作製後における電子局在注入による非対称パスゲートトランジスタを有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上” , 電子情報学会 集積回路研究会, 信学技報, vol. 110, no. 90, SDM2010-44, pp. 61-65, 2010年6月22日.
竹内健, “ナノスケールメモリLSI：材料・デバイス・回路・システムを総動員し微細化を極限まで延命する”, VDECデザイナーフォーラム, 2010年6月. (招待講演)
畑中輝義, 矢島亮児, 野田晋司, 高橋光恵, 酒井滋樹, 竹内健, “低消費電力・高信頼性SSD向け強誘電体NANDフラッシュメモリの設計”, LSIとシステムのワークショップ2010, ポスターセッション, 2010年5月.
竹内健, “ソリッド・ステート・ドライブ(SSD)の高信頼性化技術(High Reliability Technologies of Solid-State Drives (SSD))”, 信頼性, vol. 32, no.3, pp. 156-161 , 2010年5月号.
竹内健, “フラッシュメモリ/SSDの技術動向”, Electronic Journal 第491回 Technical Seminar, フラッシュメモリ/SSD技術・市場・業界動向, 2010年4月. (招待講演)
田中丸周平, 畑中輝義, 矢島亮児, 高橋光恵, 酒井滋樹, 竹内健, “しきい値電圧自己調整機能による60%スタティック・ノイズ・マージン(SNM)増加, 32%アクティブ電力削減, 42%リーク電流削減の強誘電体FETを使用した6T-SRAM”, 電子情報通信学会 集積回路研究会, 信学技報, vol. 110, no. 9, ICD2010-5, pp.23 -28, 2010年4月22日.
畑中輝義, 矢島亮児, 堀内健史, Shouyu Wang, Xizhen Zhang, 高橋光恵, 酒井滋樹, 竹内健, “データセンター用SSD向けFerroelectric(Fe)-NANDフラッシュメモリと不揮発性ページバッファ”, 電子情報通信学会 集積回路研究会, 信学技報, vol. 110, no. 9, ICD2010-11, pp. 59-64, 2010年4月23日（招待講演).
竹内健, “低電力SSD/強誘電体メモリ技術”, 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 Siナノテクロノジー研究委員会「シリコンプラットフォームテクノロジ」, 2010年3月. (招待講演).
中川隆，横田知之，関谷毅，竹内健，Ute Zschieschang，Hagen Klauk，染谷隆夫, “自己組織化単分子膜をゲート絶縁膜に用いた有機浮遊ゲート型メモリトランジスタの閾値制御”, 応用物理学関係連合講演会, 18p-ZM-3, 2010年3月.
横田知之，関谷毅，中川隆，竹内健，Hagen Klauk，Ute Zschieschang，高宮真，桜井貴康，染谷隆夫, “自己組織化単分子膜を用いた有機不揮発性メモリトランジスタの作製”, 応用物理学関係連合講演会, 18p-ZM-2, 2010年3月.
矢島亮児, 畑中輝義, 高橋光恵, 酒井滋樹, 竹内健, “Fe(Ferroelectric)-NAND フラッシュメモリの負電圧ステップダウン消去法”, 応用物理学関係連合講演会, 17p-B-4, 2010年3月.
野田晋司, 畑中輝義, 高橋光恵, 酒井滋樹, 竹内健, “Ferroelectric-NAND フラッシュメモリ向け1.2V 動作アダプティブチャージポンプ”, 応用物理学関係連合講演会, 17p-B-5, 2010年3月.
田中丸周平, 畑中輝義, 矢島亮児, 高橋光恵, 酒井滋樹, 竹内健, “0.5V 動作強誘電体6T-SRAM”, 応用物理学関係連合講演会, 17p-B-6, 2010年3月.
畑中輝義, 高橋光恵, 酒井滋樹, 竹内健, “Zero VTH Ferroelectric(Fe)-NAND Flash Memory Cell によるリードディスターブ特性、プログラムディスターブ特性、およびデータ保持特性の改善”, 応用物理学関係連合講演会, 17p-B-3, 2010年3月.
竹内健, “SSDの使いこなし方”, 日経エレクトロニクス セミナー, 2010年3月. (招待講演)
竹内健, “新材料・デバイス・回路・システムを総動員してLSIの微細化限界に挑む”, 広島大学エレクトロニクスセミナ, 2010年3月. (招待講演)
竹内健, “データセンター向け高信頼・低電力強誘電体NANDフラッシュメモリ技術”, 技術情報協会, 2010年2月. (招待講演)
田中丸周平, 畑中輝義, 矢島亮児, 高橋光恵, 酒井滋樹, 竹内健, “0.5V動作, しきい値電圧自己調整機能による60%スタティック・ノイズ・マージン増加, 32%アクティブ電力削減, 42%リーク電流削減の強誘電体6T-SRAM”, 電子情報通信学会SDM 研究会・応物シリコンテクノロジー分科会ULSIデバイス委員会共催IEDM特集講演会, 信学技報, 2010年1月.
中川隆, 横田知之, 関谷毅, 竹内健, Ute Zschieschang, Hagen Klauk, 染谷隆夫, “自己組織化単分子膜を用いた有機不揮発性メモリの作製と閾値制御”, 信学技報, vol. 109, no. 359, OME2009-67, pp. 7-11, 2010年1月.
