論文発表
樋口和英, 福田真由美, 田中丸周平, 竹内健, “不揮発性RAM及びNANDフラッシュを用いたSSD向け高エラー率補償アーキテクチャとエラー訂正符号”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 110, no. 344, ICD2010-99, pp. 25-30, 2010年12月16日.
竹内健, “フラッシュメモリーの現状と今後の展望”, 応用物理, vol.79, no.12, pp.1065-1070, 2010年12月10日.
竹内健, “SSDの技術動向と拡大するSSD市場－SSDがもたらすメモリシステムイノベーション”, 外国系半導体商社協会(DAFS) 市場･業界及び技術動向セミナー, 2010年11月25日. (招待講演)
竹内健, “半導体産業における新ビジネス創造”, グローバルCOEシンポジウム エネルギー・環境技術を支えるセキュアライフエレクトロニクス, 2010年11月17日.
竹内健, “SSDの使いこなし方”, 日経エレクトロニクス セミナー, 2010年9月. (招待講演)
竹内健, 宮地幸祐，田中丸周平，本田健太郎，宮野信治, “極低電圧動作チャージトラップSRAM・強誘電体SRAM技術”, 応用物理学会 シンポジウム：ナノエレクトロニクス時代に向けたSRAM研究開発の最前線, 15p-ZE-8, 2010年9月15日. (招待講演)
中川隆，関谷毅，横田知之，竹内健，Zshieschang Ute，Klauk Hagen，染谷隆夫, “自己組織化単分子膜を用いた有機浮遊ゲート型メモリトランジスタの絶縁膜構造とメモリ性能”, 応用物理学会, 15p-H-11, 2010年9月15日.
本田健太郎, 宮地幸祐, 田中丸周, 宮野信治, 竹内健, “ウエハ作製後の6T-SRAMにおける電子の局所注入による非対称アクセストランジスタを用いた読み出し安定性の改善”, 応用物理学会, 17a-ZE-8, 2010年9月17日.
田中丸周平, 江角淳, 伊東充吉, 李凱, 竹内健, “高信頼性SSD向けECC符号長の動的最適化手法”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 110, no. 183, ICD2010-53, pp. 77-82, 2010年8月27日.
畑中輝義, 石田光一, 安福正, 宮本晋示, 中井弘人, 高宮真, 桜井貴康, 竹内健, “NANDチャネル数検出回路・インテリジェント書き込み電圧発生回路を備えた、60%高速・4.2Gbps・24チャネル、3次元ソリッド・ステート・ドライブ（SSD）”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 110, no. 183, ICD2010-55, pp. 89-94, 2010年8月27日.
宮地幸祐, 田中丸周平, 本田健太郎, 宮野信治, 竹内健, “プロセス工程後の局所的電子注入による非対称パスゲートトランジスタを有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 110, no. 183, ICD2010-60, pp. 115-120, 2010年8月27日.
宮地幸祐, 野田晋司, 畑中輝義, 高橋光恵, 酒井滋樹, 竹内健, “単一セル自己昇圧法による10V動作，書き込み速度9.5GB/seｃ強誘電体NANDフラッシュSSD”, 信学技報, vol. 110, no. 183, ICD2010-54, pp. 83-88, 2010年8月27日.
竹内健, “デジタルLSI の技術動向 – メモリ技術”, 電子情報通信学会 集積回路研究会 サマースクール, 2010年8月. (招待講演)
竹内健, “グリーンITを目指した極低電力NANDフラッシュメモリ・SRAM”, 電気化学会 第74回半導体・集積回路技術シンポジウム, 2010年7月9日. (招待講演)
宮地幸祐, 田中丸周平, 本田健太郎, 宮野信治, 竹内健, “作製後における電子局在注入による非対称パスゲートトランジスタを有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上” , 電子情報学会 集積回路研究会, 信学技報, vol. 110, no. 90, SDM2010-44, pp. 61-65, 2010年6月22日.
竹内健, “ナノスケールメモリLSI：材料・デバイス・回路・システムを総動員し微細化を極限まで延命する”, VDECデザイナーフォーラム, 2010年6月. (招待講演)
畑中輝義, 矢島亮児, 野田晋司, 高橋光恵, 酒井滋樹, 竹内健, “低消費電力・高信頼性SSD向け強誘電体NANDフラッシュメモリの設計”, LSIとシステムのワークショップ2010, ポスターセッション, 2010年5月.
竹内健, “ソリッド・ステート・ドライブ(SSD)の高信頼性化技術(High Reliability Technologies of Solid-State Drives (SSD))”, 信頼性, vol. 32, no.3, pp. 156-161 , 2010年5月号.
竹内健, “フラッシュメモリ/SSDの技術動向”, Electronic Journal 第491回 Technical Seminar, フラッシュメモリ/SSD技術・市場・業界動向, 2010年4月. (招待講演)
田中丸周平, 畑中輝義, 矢島亮児, 高橋光恵, 酒井滋樹, 竹内健, “しきい値電圧自己調整機能による60%スタティック・ノイズ・マージン(SNM)増加, 32%アクティブ電力削減, 42%リーク電流削減の強誘電体FETを使用した6T-SRAM”, 電子情報通信学会 集積回路研究会, 信学技報, vol. 110, no. 9, ICD2010-5, pp.23 -28, 2010年4月22日.
