論文発表

畑中輝義, 上口光, 竹内健, “3次元積層SSD向け20V昇圧回路のEMI測定と出力性能の解析”, LSIとシステムのワークショップ2012, ポスターセッション, 2012年5月.

宮地幸祐, 竹内健, “HyENEXSSを用いたバルクとSOI NANDフラッシュメモリセルにおける短チャネル効果と書き込み禁止時チャネル昇圧特性の評価”, TCAD研究会, 2012年5月.

竹内健, “国内半導体業界の行方を探る～エルピーダの教訓を生かせるか～”, 日経エレクトロニクス セミナー, 2012年5月.【招待講演】

竹内健, “不揮発性メモリを使いこなす”, 日経エレクトロニクス セミナー, 2012年5月.【招待講演】

宮地幸祐, 鈴木利一, 宮野信治, 竹内健, “高速、低消費電力6T-SRAMを実現する電荷の同時注入による不良セルの修復技術”, 集積回路研究会, 信学技報, vol.112, no.15, ICD2012-12, pp.61-66, 2012年4月.

畑中輝義, 竹内健, “3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向け4倍高速、15%低消費電力Vpass(10V)、Vpgm(20V)生成電源システム”, 集積回路研究会, 信学技報, vol.112, no.15, ICD2012-8, pp.37-42, 2012年4月.

田中丸周平, 柳原裕貴, 竹内健, “エラー予測LDPCとエラー回復機構により10倍の長寿命、エラーを76%削減したSSD”, 集積回路研究会, 信学技報, vol.112, no.15, ICD2012-5, pp.23-28, 2012年4月.

宮地幸祐, 篠塚康大, 竹内健, “標準CMOSプロセス単体トランジスタを用いたドレイン側アシスト消去動作による局所電子注入組み込みフラッシュメモリ”, 応用物理学関係連合講演会, 16p-A1-13, 2011年3月.

宮地幸祐, 矢島亮児, 畑中輝義, 高橋光恵, 酒井滋樹, 竹内健, “強誘電体NANDフラッシュメモリの履歴効果と高速・高信頼性SSD向けのための書き戻し消去法”, 応用物理学関係連合講演会, 16p-A1-14, 2011年3月.

宮地幸祐, 洪慶麟, 竹内健, “バルクとSOI NANDフラッシュメモリセルにおける微細化による短チャネル効果と書き込み禁止時チャネル昇圧リークへの影響”, 応用物理学関係連合講演会, 16p-A1-15, 2011年3月.

宮地幸祐, 篠塚康大, 宮野信治, 竹内健, “局所電子注入非対称パスゲートトランジスタを用いたSRAMにおけるVTHシフト自己収束機構としきい値電圧付近VWL注入手法”, 応用物理学関係連合講演会, 16p-A1-9, 2011年3月.

樋口和英, 宮地幸祐, 上口光, 竹内健, “50nm抵抗変化型メモリにおける書き換え回数向上手法”, 応用物理学関係連合講演会, 17p-F6-5, 2010年3月.柳原裕貴, 田中丸周平, 竹内健, “NANDフラッシュメモリにおけるエラー回復システム”, 応用物理学関係連合講演会, 16p-A1-15, 2011年3月.

吉岡和顕, 上口光, 新谷俊通, 森川貴博, 竹内健, “温度制御による相変化メモリの低電力書込み手法”, 応用物理学関係連合講演会, 16p-A1-18, 2011年3月.

上口光, 畑中輝義, 竹内健, “3次元集積SSD昇圧回路ためのクラスタ化を用いたSi貫通電極制御手法” , 応用物理学関係連合講演会, 17p-A1-16, 2011年3月.

戸井田明俊, 宮地幸祐, 高橋光恵, 酒井滋樹, 竹内健, “ベリファイ付き1kb強誘電体NANDフラッシュメモリ”, 応用物理学関係連合講演会, 16p-A1-15, 2011年3月.

柳原裕貴, 田中丸周平, 竹内健, “NANDフラッシュメモリにおけるエラー回復システム”, 応用物理学関係連合講演会, 16p-A1-16, 2011年3月.

高橋光恵, ジャン シージェン, 竹内健, 酒井滋樹, “64 kb強誘電体NANDフラッシュメモリアレイの作製と評価”, ゲートスタック研究会 材料・プロセス・評価の物理（第17回研究会）, 2012年1月.

樋口和英, 竹内健, “50nm級抵抗変化型メモリにおける耐久性向上書き換え手法の研究”, 集積回路研究会, 信学技報, vol.111, no.352, ICD2011-116, pp.75-,80 2011年12月.

畑中輝義, 竹内健, “3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向け4倍高速Vpass(10V)生成、15%低消費電力Vpgm(20V)生成、ワイドレンジ電圧生成システム”, 集積回路研究会, 信学技報, vol.111, no.352, ICD2011-117, pp.81-86, 2011年12月.

(宮地幸祐, 洪慶麟, 竹内健, “BulkとSOI NANDフラッシュメモリセルにおける短チャネル効果とチャネル昇圧リークの微細化限界の検討”, 集積回路研究会, 信学技報, vol.111, no.281, SDM2011-125, pp.57-61, 2011年11月.