論文発表

岡本峻, 宮地幸祐, 上口光, 蜂谷尚悟, 竹内健, “データ断片化防止アルゴリズムを用いたハイブリッドReRAM/MLC NAND SSD向け評価プラットフォームの構築”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 112, no. 365, ICD2012-93, pp. 55, 2012年12月.

鳥海航, 宮地幸祐, 上口光, 蜂谷尚悟, 竹内健, “トランザクションモデルベース評価プラットフォームを用いた、3次元ReRAM/MLC NANDハイブリッドSSDの性能評価と実データパターンの解析”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 112, no. 365, ICD2012-93, pp. 59, 2012年12月.

土井雅史, 田中丸周平, 竹内健, “高信頼性SSD向け非対称符号の効果の20~40nm世代の比較および符号長依存性の解析”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 112, no. 365, ICD2012-93, pp. 33, 2012年12月.

小林大介, 宮地幸祐, 宮野信治, 竹内健, “局所電子注入非対称パスゲートトランジスタを有する6T-SRAMのためのしきい値電圧付近ワード線電圧注入法によるしきい値電圧ばらつきの自己収束”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 112, no. 365, ICD2012-93, pp. 31, 2012年12月.

江上徹, 上口光, 竹内健, “相変化メモリの環境温度依存性評価”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 112, no. 365, ICD2012-93, pp. 65, 2012年12月.

Sheyang Ning, Tomoko Iwasaki, Ken Takeuchi, “3x Write and 5x Read Speed Increase for RRAM with Disturb Free Bipolar Operation”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 112, no. 365, ICD2012-93, pp. 43, 2012年12月.

中島祥斗, 畑中輝義, 竹内健, “ReRAM/NANDフラッシュメモリーハイブリッド3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向け、単一インダクタ書き込み電圧(VSET/RESET、VPGM)同時生成回路”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 112, no. 365, ICD2012-93 , pp. 29, 2012年12月.

畑中輝義, 上口光, 竹内健, “3次元積層SSD向け20V昇圧回路のEMI測定と出力性能の解析”, LSIとシステムのワークショップ2012, ポスターセッション, 2012年5月.

宮地幸祐, 竹内健, “HyENEXSSを用いたバルクとSOI NANDフラッシュメモリセルにおける短チャネル効果と書き込み禁止時チャネル昇圧特性の評価”, TCAD研究会, 2012年5月.

竹内健, “国内半導体業界の行方を探る～エルピーダの教訓を生かせるか～”, 日経エレクトロニクス セミナー, 2012年5月.【招待講演】

竹内健, “不揮発性メモリを使いこなす”, 日経エレクトロニクス セミナー, 2012年5月.【招待講演】

宮地幸祐, 鈴木利一, 宮野信治, 竹内健, “高速、低消費電力6T-SRAMを実現する電荷の同時注入による不良セルの修復技術”, 集積回路研究会, 信学技報, vol.112, no.15, ICD2012-12, pp.61-66, 2012年4月.

畑中輝義, 竹内健, “3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向け4倍高速、15%低消費電力Vpass(10V)、Vpgm(20V)生成電源システム”, 集積回路研究会, 信学技報, vol.112, no.15, ICD2012-8, pp.37-42, 2012年4月.

田中丸周平, 柳原裕貴, 竹内健, “エラー予測LDPCとエラー回復機構により10倍の長寿命、エラーを76%削減したSSD”, 集積回路研究会, 信学技報, vol.112, no.15, ICD2012-5, pp.23-28, 2012年4月.

宮地幸祐, 篠塚康大, 竹内健, “標準CMOSプロセス単体トランジスタを用いたドレイン側アシスト消去動作による局所電子注入組み込みフラッシュメモリ”, 応用物理学関係連合講演会, 16p-A1-13, 2011年3月.

宮地幸祐, 矢島亮児, 畑中輝義, 高橋光恵, 酒井滋樹, 竹内健, “強誘電体NANDフラッシュメモリの履歴効果と高速・高信頼性SSD向けのための書き戻し消去法”, 応用物理学関係連合講演会, 16p-A1-14, 2011年3月.

宮地幸祐, 洪慶麟, 竹内健, “バルクとSOI NANDフラッシュメモリセルにおける微細化による短チャネル効果と書き込み禁止時チャネル昇圧リークへの影響”, 応用物理学関係連合講演会, 16p-A1-15, 2011年3月.

宮地幸祐, 篠塚康大, 宮野信治, 竹内健, “局所電子注入非対称パスゲートトランジスタを用いたSRAMにおけるVTHシフト自己収束機構としきい値電圧付近VWL注入手法”, 応用物理学関係連合講演会, 16p-A1-9, 2011年3月.

樋口和英, 宮地幸祐, 上口光, 竹内健, “50nm抵抗変化型メモリにおける書き換え回数向上手法”, 応用物理学関係連合講演会, 17p-F6-5, 2010年3月.柳原裕貴, 田中丸周平, 竹内健, “NANDフラッシュメモリにおけるエラー回復システム”, 応用物理学関係連合講演会, 16p-A1-15, 2011年3月.

吉岡和顕, 上口光, 新谷俊通, 森川貴博, 竹内健, “温度制御による相変化メモリの低電力書込み手法”, 応用物理学関係連合講演会, 16p-A1-18, 2011年3月.