論文発表

国内学会
  • 畑中輝義, 上口光, 蜂谷尚悟, 竹内健, “3次元積層ReRAM/NANDフラッシュメモリハイブリッドソリッド・ステート・ドライブ向けVset/reset(3V)、Vpgm(20V)生成回路の設計”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 113, no. 1, ICD2013-16, pp. 79-84, 2013年4月.

  • 宮地幸祐, 藤井裕大, 上口光, 樋口和英, 孫超, 竹内健, “SCM及びMLC NANDフラッシュメモリを用いたハイブリッドSSDと断片化防止アルゴ リズムによる性能向上”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 113, no. 1, ICD2013-15, pp. 73-78, 2013年4月.

  • 田中丸周平, 土井雅史, 竹内健, “高信頼ビッグデータ向けフラッシュメモリ/ReRAM統合ソリッド・ステート・ストレージシステム”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 113, no. 1, ICD2013-14, pp. 67-72, 2013年4月. 【招待講演】

  • 畑中輝義, 上口光, 竹内健, “3次元実装SSD用昇圧回路のEMC距離依存性評価”, 応用物理学関係連合講演会, 27p-PB5-11, 2013年3月.

  • 上口光, 吉岡和顕, 竹内健, “ブロック消去アーキテクチャを用いたNAND型高集積相変化メモリ”, 応用物理学関係連合講演会, 27p-PB5-12, 2013年3月.

  • 山根佳彦, 蜂谷尚悟, 田中丸周平, 竹内健, “20nm世代TLC(3bit/cell) NANDフラッシュメモリの信頼性評価”, 応用物理学関係連合講演会, 28a-G9-4, 2013年3月.

  • 土井雅史, 田中丸周平, 竹内健, “統合ソリッドステードストレージの信頼性評価”, 応用物理学関係連合講演会, 28a-G9-3, 2013年3月.

  • 田中丸周平, 土井雅史, 竹内健, “統合ソリッドステートストレージアーキテクチャ”, 応用物理学関係連合講演会, 28a-G9-2, 2013年3月.

  • 宮地幸祐, 宮野信治, 竹内健, “不良セルへの電荷同時注入による修復技術を用いた低消費電力6T-SRAM”, 応用物理学関係連合講演会, 28a-G9-6, 2013年3月.

  • 宮地幸祐, 柳原裕貴, 竹内健, “BiCS型三次元積層NANDフラッシュメモリにおけるゲート長、ゲート間隔及び積層数の設計方針”, 応用物理学関係連合講演会, 28a-G9-1, 2013年3月.

  • 蜂谷尚悟, 宮地幸祐, 上口光, 竹内健, “3次元実装ReRAM/MLC NANDハイブリッドSSDにおける、データマネジメント手法の提案と性能評価”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 112, no. 425, ICD2012-125, pp. 39- 43, 2013年1月.

  • 宮地幸祐, “回路系トップレベル学会を目指した体験 ~ 異分野出身を活かす ~”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 112, no. 365, ICD2012-93, pp. 139-143, 2012年12月. 【招待講演】

  • 平澤黎生, 宮地幸祐, 竹内健, “BiCS型立体構造NANDフラッシュメモリーにおけるゲート長、ゲート間隔及び積層数の設計指針”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 112, no. 365, ICD2012-93, pp. 57, 2012年12月.

  • 岡本峻, 宮地幸祐, 上口光, 蜂谷尚悟, 竹内健, “データ断片化防止アルゴリズムを用いたハイブリッドReRAM/MLC NAND SSD向け評価プラットフォームの構築”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 112, no. 365, ICD2012-93, pp. 55, 2012年12月.

  • 鳥海航, 宮地幸祐, 上口光, 蜂谷尚悟, 竹内健, “トランザクションモデルベース評価プラットフォームを用いた、3次元ReRAM/MLC NANDハイブリッドSSDの性能評価と実データパターンの解析”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 112, no. 365, ICD2012-93, pp. 59, 2012年12月.

  • 土井雅史, 田中丸周平, 竹内健, “高信頼性SSD向け非対称符号の効果の20~40nm世代の比較および符号長依存性の解析”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 112, no. 365, ICD2012-93, pp. 33, 2012年12月.

  • 小林大介, 宮地幸祐, 宮野信治, 竹内健, “局所電子注入非対称パスゲートトランジスタを有する6T-SRAMのためのしきい値電圧付近ワード線電圧注入法によるしきい値電圧ばらつきの自己収束”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 112, no. 365, ICD2012-93, pp. 31, 2012年12月.

  • 江上徹, 上口光, 竹内健, “相変化メモリの環境温度依存性評価”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 112, no. 365, ICD2012-93, pp. 65, 2012年12月.

  • Sheyang Ning, Tomoko Iwasaki, Ken Takeuchi, “3x Write and 5x Read Speed Increase for RRAM with Disturb Free Bipolar Operation”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 112, no. 365, ICD2012-93, pp. 43, 2012年12月.

  • 中島祥斗, 畑中輝義, 竹内健, “ReRAM/NANDフラッシュメモリーハイブリッド3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向け、単一インダクタ書き込み電圧(VSET/RESET、VPGM)同時生成回路”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 112, no. 365, ICD2012-93 , pp. 29, 2012年12月.

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