フラッシュメモリが微細化するにつれて、電子がフローティングゲートに注入する確率に量子力学的なトンネル電流に起因するゆらぎが生じます。電子が注入される確率がゆらぐことにより、メモリのしきい値電圧へ達する時間にもゆらぎが生じます。このようなニューロン素子をSpiking Neural Network (SNN)におけるニューロン回路に適用することで、確率共鳴現象を発現させることができます。メモリセルの特性ばらつきや電子注入確率のゆらぎを利用して、微弱な信号を高速に精度よく演算できます。