Conference Presentation at IEICE Technical Committee on Silicon Device and Materials（SDM）（June 22, 2021）

松井千尋，竹内健, “アプリケーション特性に起因するTaOx ReRAMセルの信頼性ばらつきを許容する高速ストレージ”, シリコン材料・デバイス研究会, 信学技報, vol. 121, no. 71, SDM2021-27, pp. 21-22, 2021年6月22日.

三澤奈央子, 田岡健太, 越能俊介, 松井千尋，竹内健, “組合せ最適化問題に向けたReRAMを用いたコンピュテーション・イン・メモリにおける量子化ビット数とエラー率の解への影響”, シリコン材料・デバイス研究会, 信学技報, vol. 121, no. 71, SDM2021-28, pp. 23-26, 2021年6月22日.