畑中輝義, 矢島亮児, 堀内健史, Shouyu Wang, Xizhen Zhang, 高橋光恵, 酒井滋樹, 竹内健, “データセンター用SSD向けFerroelectric(Fe)-NANDフラッシュメモリと不揮発性ページバッファ”, 電子情報通信学会 集積回路研究会, 信学技報, vol. 110, no. 9, ICD2010-11, pp. 59-64, 2010年4月23日（招待講演).

竹内健, “低電力SSD/強誘電体メモリ技術”, 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会　Siナノテクロノジー研究委員会「シリコンプラットフォームテクノロジ」, 2010年3月. (招待講演).

中川隆，横田知之，関谷毅，竹内健，Ute Zschieschang，Hagen Klauk，染谷隆夫, “自己組織化単分子膜をゲート絶縁膜に用いた有機浮遊ゲート型メモリトランジスタの閾値制御”, 応用物理学関係連合講演会, 18p-ZM-3, 2010年3月.

横田知之，関谷毅，中川隆，竹内健，Hagen Klauk，Ute Zschieschang，高宮真，桜井貴康，染谷隆夫, “自己組織化単分子膜を用いた有機不揮発性メモリトランジスタの作製”, 応用物理学関係連合講演会, 18p-ZM-2, 2010年3月.

矢島亮児, 畑中輝義, 高橋光恵, 酒井滋樹, 竹内健, “Fe(Ferroelectric)-NAND フラッシュメモリの負電圧ステップダウン消去法”, 応用物理学関係連合講演会, 17p-B-4, 2010年3月.

野田晋司, 畑中輝義, 高橋光恵, 酒井滋樹, 竹内健, “Ferroelectric-NAND フラッシュメモリ向け1.2V 動作アダプティブチャージポンプ”, 応用物理学関係連合講演会, 17p-B-5, 2010年3月.

田中丸周平, 畑中輝義, 矢島亮児, 高橋光恵, 酒井滋樹, 竹内健, “0.5V 動作強誘電体6T-SRAM”, 応用物理学関係連合講演会, 17p-B-6, 2010年3月.

畑中輝義, 高橋光恵, 酒井滋樹, 竹内健, “Zero VTH Ferroelectric(Fe)-NAND Flash Memory Cell によるリードディスターブ特性、プログラムディスターブ特性、およびデータ保持特性の改善”, 応用物理学関係連合講演会, 17p-B-3, 2010年3月.

竹内健, “SSDの使いこなし方”, 日経エレクトロニクス セミナー, 2010年3月. (招待講演)

竹内健, “新材料・デバイス・回路・システムを総動員してLSIの微細化限界に挑む”, 広島大学エレクトロニクスセミナ, 2010年3月. (招待講演)

竹内健, “データセンター向け高信頼・低電力強誘電体NANDフラッシュメモリ技術”, 技術情報協会, 2010年2月. (招待講演)

田中丸周平, 畑中輝義, 矢島亮児, 高橋光恵, 酒井滋樹, 竹内健, “0.5V動作, しきい値電圧自己調整機能による60%スタティック・ノイズ・マージン増加, 32%アクティブ電力削減, 42%リーク電流削減の強誘電体6T-SRAM”, 電子情報通信学会SDM 研究会・応物シリコンテクノロジー分科会ULSIデバイス委員会共催IEDM特集講演会, 信学技報, 2010年1月.

中川隆, 横田知之, 関谷毅, 竹内健, Ute Zschieschang, Hagen Klauk, 染谷隆夫, “自己組織化単分子膜を用いた有機不揮発性メモリの作製と閾値制御”, 信学技報, vol. 109, no. 359, OME2009-67, pp. 7-11, 2010年1月.

竹内健, “システム化するNANDフラッシュメモリ”, 産業技術総合研究所　エレクトロニクスフォーラム, 2009年12月15日. (招待講演)

安福正, 石田光一, 高宮真, 桜井貴康, 竹内健, “3次元SSD用20Vブーストコンバータ向けのインダクタ設計 (Inductor Design of 20-V Boost Converter for Low Power 3D Solid State Drive)”, 電子情報通信学会 集積回路研究会, 信学技報, vol. 109, no. 336, ICD2009-103, pp.151-156, 2009年12月.

竹内健, “グリーンITを目指した低電力3次元積層SSD技術”, Electronic Journal 第224回 Technical Symposium・フラッシュメモリ/SSD徹底検証, 2009年11月26日. (基調講演・招待講演)

竹内健, “Ferroelectric-gate FET for Flash Memory & SRAM application,” ITRSロードマップ委員会日本支部Emerging Research Devices and Emerging Research Materials Meeting, 2009年11月(招待講演)

矢島亮児, 畑中輝義, 高橋光恵, 酒井滋樹, 竹内健, “データセンター用SSD向け不揮発性ページバッファを搭載したFe-NANDフラッシュメモリ(2)”, 電子情報通信学会 ソサイエティ大会, エレクトロニクス講演論文集2, pp. 69, 2009年9月.

野田晋司, 矢島亮児, 畑中輝義, 高橋光恵, 酒井滋樹, 竹内健, “データセンター用SSD向け不揮発性ページバッファを搭載したFe-NANDフラッシュメモリ(1)”, 電子情報通信学会 ソサイエティ大会, エレクトロニクス講演論文集2, pp. 68, 2009年9月.

竹内健, “デジタルLSI の技術動向 – メモリ技術”, 電子情報通信学会 集積回路研究会 サマースクール, 2009年8月. (招待講演)