“微細化追求で性能が劣化、新デバイスに商機”, 日経マイクロデバイス, 2009年7月31日.

“NAND型フラッシュ テラビットへのシナリオ”, 日経マイクロデバイス, 2009年8月号. 2009年7月29日

“不揮発メモリーが咲き誇る、VLSI 2009が開催”, EE Times Japan, 2009年7月7日.

“NANDフラッシュもアプリケーションを強く意識して開発する流れに”, 日経エレクトロニクス, 2009年7月3日.

“データ・センター向けのSSD、東大らが書き込み性能を2倍、書き込み中の電源遮断にも対策”, 日経エレクトロニクス, 2009年6月29日.

“強誘電体NANDフラッシュメモリー SSD書き込み高速化 東大・産総研共同開発”, 日刊工業新聞, 2009年6月16日.

“竹内准教授ら メモリー 性能劣化防ぐ データセンターに応用”, 東京大学新聞, 2009年6月16日.

“SSDの高速化，ノーマリーオフ・システムを狙った新原理不揮発メモリに注目”, 日経エレクトロニクス, 2009年6月17日.

“東京大学、SSDのランダム書き込みを2倍に高速化、データ・センターなどに向ける”, 日経エレクトロニクス, 2009年6月25日.

“SSDの高スループットと低コストを両立させる強誘電体バッファ”, PC Watch, 2009年6月22日.

“東大と産総研、SSD書き込み高速化－強誘電体NANDフラッシュメモリー”, 日刊工業新聞, 2009年6月16日.

“東京大学ら、SSDのランダム書き込みを2倍に高速化、データ・センターなどに向ける”, 日本経済新聞, 2009年6月25日.

“東大と産総研、SSD書き込み高速化 – 強誘電体フラッシュメモリー”, 朝日新聞, 2009年6月27日.

“ソリッド・ステート・ドライブ(SSD)の新技術：３次元化と新電源システムメモリの電力を約1/3まで低減、コスト低減にも有効”, 生研ニュース, 2009年4月.

“どう付き合うかSSD：制御LSI、OS、メモリ総力を結集して信頼性向上へ”, 日経エレクトロニクス, 2009年4月14日.

“SSD進化のカギ握る消費電力，東大らが電源機構を一新　メモリの消費電力を従来比68％低減”, 日経エレクトロニクス, 2009年3月9日.

“SSD応用を目指すには大容量NAND技術とともに低電力技術が必須に”, 日経エレクトロニクス, 2009年2月12日.

“東京大学らがSSD向けの新電源システム開発，メモリの消費電力を1/3に”, 日経エレクトロニクス, 2009年2月10日.

“東京大学 省エネ型電源回路を開発”, 東京大学新聞, 2009年2月.

“東京大学 低電力の電源システム SSD用フラッシュ向け”, 化学工業日報, 2009年2月12日.