DomesticConference_230

出口慶明, 竹内健, “データの書き換え頻度に応じたTLC NAND型フラッシュメモリにおけるワード線単位のしきい値電圧変調手法”, 応用物理学関係連合講演会, 18p-G203-18, 2018年3月18日.

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