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宮地幸祐, 小林大介, 宮野信治, 竹内健, “40nm世代6T-SRAMにおけるパスゲートトランジスタへの非対称電荷注入によるスタティックノイズマージン改善の解析,” IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)報告会, July 2013.

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