DomesticConference_106

宮地幸祐, 竹内健, “HyENEXSSを用いたバルクとSOI NANDフラッシュメモリセルにおける短チャネル効果と書き込み禁止時チャネル昇圧特性の評価”, TCAD研究会, 2012年5月.

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