DomesticConference_098

宮地幸祐, 洪慶麟, 竹内健, “バルクとSOI NANDフラッシュメモリセルにおける微細化による短チャネル効果と書き込み禁止時チャネル昇圧リークへの影響”, 応用物理学関係連合講演会, 16p-A1-15, 2011年3月.

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