DomesticConference_041

田中丸周平, 畑中輝義, 矢島亮児, 高橋光恵, 酒井滋樹, 竹内健, “しきい値電圧自己調整機能による60%スタティック・ノイズ・マージン(SNM)増加, 32%アクティブ電力削減, 42%リーク電流削減の強誘電体FETを使用した6T-SRAM”, 電子情報通信学会 集積回路研究会, 信学技報, vol. 110, no. 9, ICD2010-5, pp.23 -28, 2010年4月22日.

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