DomesticConference_029

田中丸周平, 畑中輝義, 矢島亮児, 高橋光恵, 酒井滋樹, 竹内健, “0.5V動作, しきい値電圧自己調整機能による60%スタティック・ノイズ・マージン増加, 32%アクティブ電力削減, 42%リーク電流削減の強誘電体6T-SRAM”, 電子情報通信学会SDM 研究会・応物シリコンテクノロジー分科会ULSIデバイス委員会共催IEDM特集講演会, 信学技報, 2010年1月.

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